50 W nichtinduktiver Hochleistungswiderstand

● Siebdruck, Widerstandsfilmdruckschicht mit einer Dicke von mehreren zehn Mikrometern, gesintert bei Temperatur. Die Matrix besteht zu 96 % aus Aluminiumoxidkeramik mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher mechanischer Festigkeit. Der Widerstandsfilm mit Edelmetall-Ruthenium-Aufschlämmung mit stabilen elektrischen Eigenschaften;
● Die Nennleistung der ZMP50-Serie beträgt 50 W.
● Dickschichtwiderstand für Hochfrequenz- und Impulsbelastungsanwendungen.
● Das Transistor-Umrissgehäuse ist ein Durchsteckgehäuse, das üblicherweise für Hochleistungstransistoren und kleine bis mittelgroße integrierte Schaltkreise verwendet wird.